对于应用工程师而言，芯片故障分析是最困难的问题之一。
之所以棘手，是因为芯片故障问题通常是在批量生产阶段甚至在出货后才意识到的。
此时，可能只有少量分散的故障样本，但是该比率足以使质量部门跟随R＆amp; D工程师进行详细的原因分析。
对于研发工程师来说，在调查可能对外围电路和生产工艺造成的损害之后，需要原始制造商的更多支持来进行截面分析。
不管芯片是否确实存在设计问题，但是为了避免责任纠纷，原始制造商将答复您的报告可能会将问题指向“ EOS”。
损坏，则需要调查自己的电路设计和生产中的静电预防和控制。
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由于缺乏专业的分析设备，应用工程师不可能对芯片内部设计的机密性了解太多。
因此，应用工程师经常处于“被动接受”的情况。
原始制造商提供的分析报告。
尽管我们无法理解芯片的内部设计，但实际上我们可以理解芯片制造商的故障分析方法，至少在提供给您的报告中，故障分析是否为严金，数据是否可靠，您可以进行一定的判断-方法1：用电子显微镜检查芯片样品异常失效的表面。
芯片制造商到达芯片制造商之后，首先要做的是使用高倍电子显微镜检查芯片表面在物理层面上是否存在异常问题，例如裂纹和连接。
锡和霉菌等异常现象。
方法2：X射线检查芯片封装异常X射线穿过不同密度的材料后，光强度会发生变化，并且在不破坏被测物的情况下产生的对比效果所形成的图像可以显示被测物的内部结构。
在IC封装中，可以使用XRay检查所有问题，例如层剥离，破裂，空隙，引线键合等。
方法3：CSAM扫描声显微镜扫描声显微镜使用在材料的不连续界面上成像的高频超声波的振幅，相位和极性变化。
典型的SAM图像使用红色警告颜色指示缺陷。
SAM和XRay是补充方法。
X射线对分层空气不敏感。
生成的图像是样品厚度的合成，而SAM可以在样品内部逐层显示图像。
焊接层，填充层，涂层等的完整性检查是SAM的优势。
方法4：激光感应定位泄漏点。
向IC施加电压，使小电流流入内部，并在检测微电流是否已改变的同时，用激光扫描芯片的表面。
由于芯片中的激光束会部分转化为热量，因此如果芯片内部存在泄漏结，则缺陷处的温度将无法正常传导，从而导致缺陷处的温度累积升高并进一步改变。
缺陷处的电阻和电流。
通过改变区域和激光束的扫描位置之间的对应关系，可以定位缺陷位置。
该技术是NEC在早期开发并应用的一项专利技术。
称为OBIRCH（电压检测电流变化）。
与分析方法TIVA（电流检测电压变化），VBA（电压检测电压变化）相似，这三种分析方法基本相同，但为避免专利侵权它们是不同的检测方法（TIVA是美国技术专利，并且VBA是新加坡的技术专利）。
当然，在执行X射线，CASM和OBIRCH之前，您可以逐渐向每个引脚施加电压并检测电流曲线是否异常，从而大致确定该引脚是否有故障的可能性。
如下图所示，蓝线是参考电流，提供的多个采样的RFVDD引脚电流异常。
确认异常后，以后再使用X射线和其他仪器时，可以更快地锁定缺陷点所在的区域。
在使用诸如X射线的方法定位缺陷区域之后，最终使用机械切片和蚀刻溶液切片的方法，并且使用显微镜执行最后一轮图像物理确认。
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