主流低RDSon MOSFET产品技术亮点
近年来，随着氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）材料的发展，传统硅基MOSFET也在不断优化，涌现出一批具有超低RDSon特性的高性能产品。以下为几款典型代表：
1. Infineon EPC2049（GaN MOSFET）
• RDSon = 17 mΩ（@5.5V VGS）
• 工作电压高达600V
• 极低栅极电荷（Qg ≈ 10 nC）
• 适用于高频电源适配器、数据中心电源等场景
2. STMicroelectronics STF10NM60（600V N-channel MOSFET）
• RDSon = 10.5 Ω（@10V VGS）
• 额定电流10A
• TO-220封装，易于散热设计
• 广泛用于工业电源、电动工具等领域
3. Texas Instruments CSD18533Q5B（High-Speed Power MOSFET）
• RDSon = 1.8 mΩ（@10V VGS）
• 采用先进的沟槽栅结构，大幅降低导通损耗
• 支持高达100kHz以上的开关频率，适合同步整流应用
实际应用案例：电动汽车车载充电机（OBC）中的低RDSon MOSFET应用
在电动汽车的车载充电系统中，能量转换效率直接关系到充电速度与电池寿命。某主流品牌采用多颗低RDSon MOSFET（如TI CSD18533Q5B）构建全桥拓扑结构，实测数据显示：
- 系统效率从传统方案的92%提升至96.5%
- 芯片温升下降约18℃
- 无需额外散热片，节省空间与成本
该案例充分证明：选用低RDSon MOSFET不仅能提升能效，还能简化热设计，推动小型化与轻量化发展。
