金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型,通常又称为NMOSFET与PMOSFET,其他简称尚包括NMOS、PMOS等。
中文名
金属-氧化层 半导体场效晶体管
外文名
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
核 心
金属—氧化层—半导体电容
发明时间
1960年
发明人
D. Kahng和 Martin Atalla
发明机构
贝尔实验室(Bell Lab.)