MOSFET与BJT的核心差异解析
在现代电子系统设计中，功率半导体器件的选择直接影响电路效率、热管理与整体性能。其中，MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）和BJT（双极型晶体管）是两种最常用的功率器件。尽管两者都能实现开关控制功能，但在导通电阻（RDSon）、驱动方式、开关速度等方面存在显著差异。
1. 导通电阻（RDSon）的重要性
MOSFET的导通电阻（RDSon）是衡量其导通损耗的关键参数。低RDSon意味着更低的功耗和更高的效率，尤其在高电流应用中至关重要。例如，在电源管理、电机驱动和车载充电系统中，选择具有超低RDSon的MOSFET可显著减少发热，提升系统可靠性。
2. 驱动特性对比
BJT需要持续基极电流来维持导通状态，导致驱动功耗较高；而MOSFET为电压驱动型器件，栅极几乎不消耗静态电流，更适合高频开关应用。这一优势使得MOSFET在数字控制和高频电源转换中更受欢迎。
3. 低RDSon MOSFET选型关键因素
- 额定电压（VDS）：确保器件耐压高于电路最大工作电压，并留有安全裕量。
- 最大连续漏极电流（ID）：应满足负载峰值电流需求。
- RDSon值：在特定栅极电压（如10V）下的导通电阻越小越好，尤其关注室温及高温下的表现。
- 栅极电荷（Qg）：影响开关速度，低Qg有助于提高开关频率，降低开关损耗。
- 封装形式：如TO-220、DFN、PowerPAK等，需兼顾散热与布局空间。
综合以上因素，工程师应结合具体应用场景进行权衡，优先考虑具备“低RDSon + 高效率 + 良好热稳定性”的新型低导通电阻MOSFET。
