MiniLED / microLED商业化加速,Rohinni安装技术取得新进展

电子发烧友网报道(文/黄晶晶)近年来,miniLED,microLED作为一种新的显示技术已得到制造商的大力推动和发展。更令人欣慰的是,尽管今年流行了新的冠状病毒,但miniLED和microLED并没有因此而停止。
由于miniLED和microLED中使用的发光二极管非常小且制造过程非常困难,因此Rohinni在此类显示器的安装过程中拥有多项专利,并且与BOE成立microLED合资企业的发展很顺利。最近,电子爱好者网络的记者采访了Rohinni首席执行官Matthew Gerber,他就miniLED和microLED的行业发展以及制造工艺技术分享并交换了看法。
MiniLED的商业化达到了新的高度,并且从MiniLED到microLED的安装技术也在不断发展。 Matthew Gerber认为2020年是miniLED产品商业化的重要一年。
推出的一些特定产品包括大容量和高性能LCD背光产品,以及使用miniLED的直接发射视频墙。 “我们希望所有主要的OEM电视品牌都将推出使用miniLED的高性能LCD电视,并且还将应用于其他消费电子产品(包括平板电脑和笔记本电脑)。
”与传质解决方案不同,Rohinni的miniLED灯的精确放置具有其特殊功能。 Rohinni还为microLED中使用的极小的无机发光二极管提供了更先进的安装技术。
马修·格伯(Matthew Gerber)说,我们的团队致力于在键盘应用中实现少量miniLED的精确使用,并进行了进一步的技术开发,以确保传质所需的速度和准确性。我们的专利工艺具有独特性,因为该技术实现了将单个模具作为单个组件进行管理,并且速度和精度足以满足各种产品应用的批量生产需求。
他透露,我们的团队目前正在使用microLED开发更快的安装技术,其尺寸比现有工艺中使用的miniLED小得多。由于许多阻碍小尺寸芯片供应链发展的问题,microLED技术到目前为止还没有达到这一水平。
对于microLED,它还面临着批量生产,放置和精密基板等挑战。我们还需要在microLED技术中实现我们预见的miniLED领域相同的发展势头,以完成microLED技术的重大产业转型。
目前,Rohinni团队拥有广泛的专利组合,其中包括49项屡获殊荣的贴装技术专利,并且50多个专利申请处于不同的开发阶段。使用Rohinni安装技术的各种应用都取得了显著成果,无论是在消费类产品,电视墙还是汽车领域,您都可以看到使用Rohinni安装技术批量生产的miniLED显示产品。
通过合资企业,Rohinni已与显示器,汽车和键盘行业的领先公司建立了合作伙伴关系,以为消费者带来基于miniLED的各种产品。在合作伙伴的帮助下我们在制造和应用方面的专业知识以及Rohinni的贴装技术方面已经开始看到大规模生产和应用机会的初步结果。
它的第一家合资企业Luumii专注于键盘背光和标牌照明。该公司已经见证了其所有应用程序的普及,并且标志照明已经在今年实现了批量生产。
对于合资公司而言,2021年是非常重要的一年-大容量键盘背光项目计划于今年交付。此外,Rohinni的显示器合资企业BOEPixey还为主要客户提供了型号视频墙模块和带miniLED的高性能LCD背光源。
团队正在准备实现两种产品的批量生产。在旅行领域,其合作伙伴MagnaInternational目前正在完成针对汽车市场的各种新型miniLED应用的可靠性测试。
测试完成后,它将进入批量生产阶段。 Rohinni和京东方已经成立了microLED合资公司。
产品将于2021年实现量产。Rohinni和京东方将成立一家名为BOEPixey的微型LED合资公司。
该公司在2020年消费电子展(CES2020)上正式亮相,并首次公开展示其产品。该合资企业正在为客户开发原型产品,预计将于2021年推出特定产品。
BOEPixey团队位于中国北京和合肥。根据Matthew Gerber的说法,BOEPixey具有Rohinni专有的贴装技术,可用于大型LCD显示应用程序和显示器。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: ys@jepsun.com

产品经理: 汤经理

QQ: 2057469664

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • TAI薄膜精密电阻技术深度解析:与TA-I、TAITIEN的性能差距在哪里? TAI薄膜精密电阻技术深度剖析:超越TA-I与TAITIEN的关键因素随着电子系统向小型化、高集成度与高可靠性发展,薄膜精密电阻的性能成为决定系统成败的关键之一。大毅科技(TAI)作为全球领先的精密电阻制造商,其推出的TAI系列...
  • 大毅TAI薄膜精密电阻与TA-I、TAITIEN对比分析:性能、应用与技术优势全解析 大毅TAI薄膜精密电阻与TA-I、TAITIEN全面对比在高精度电子元件领域,薄膜精密电阻是实现稳定信号传输与精确测量的核心组件。大毅科技(Taiwan Advanced Instruments, TAI)推出的TAI系列薄膜精密电阻,凭借其卓越的稳定性与可靠性,已...
  • 采样电阻TA-I合金电阻RLM25FEER001 2512 2W 1mΩ 加工定制否品牌TA-I/大毅型号RLM25FEER001种类合金电阻性能高功率材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性高频产品性质取样电流电阻 采样检测电阻货号W5025...
  • 台湾TA-I大毅合金电阻RLP25FEER050 2512 2W 50mΩ电流检测合金电阻 商品属性加工定制否品牌TA-I型号RLP25FEER050种类大功率合金电阻性能高功率 高精度 耐高温材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性中频产品性质合金电阻 检...
  • 积层压敏电阻JMV-N的技术原理与发展前景 积层压敏电阻的工作原理积层压敏电阻(MLV,Multilayer Varistor)基于非线性电阻材料(如氧化锌)构成,其阻值随外加电压变化而剧烈改变。当电压低于阈值时,呈现高阻态;一旦超过启动电压,立即转入低阻状态,实现过压钳位...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
  • N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
  • 欧姆龙E2E-X3D1-N-Z接近开关:工业自动化领域的高效解决方案 欧姆龙的E2E-X3D1-N-Z是一款高性能的接近开关,广泛应用于工业自动化领域。这款接近开关采用先进的传感技术,能够在无需物理接触的情况下检测到金属物体的存在或接近,从而实现对机械设备的精确控制。它具有较高的检测精...
  • 接近开关E2E-X3D1-N:非接触式感应技术的应用 接近开关E2E-X3D1-N是一种非接触式的感应开关,被广泛应用于自动化控制领域。这种开关通过电磁感应原理来检测目标物体的存在与否,无需与运动部件进行直接接触即可完成检测任务,从而大大提高了设备的可靠性和使用寿命。...
  • OMLON接近开关E2E-X2D1-N-Z: 原装正品,现货供应 OMLON品牌的接近开关E2E-X2D1-N-Z是一款高质量、高精度的检测设备。这款产品以其卓越的性能和可靠性,在各种工业自动化领域得到了广泛的应用。原装正品保证了其优秀的品质与稳定性,能够满足用户对于精确度和耐用性的高标准...
  • 深入解读:30V与100V N沟道MOS管在电源管理中的技术优势与挑战 30V vs 100V N沟道MOS管:技术优势与工程实践随着电子设备向小型化、高效化发展,合理选择N沟道MOS管成为电源设计的关键环节。本文从技术参数、实际应用和可靠性角度,深入剖析30V与100V等级器件的核心差异。1. 30V N沟道MOS管的技...
  • 输出级周边驱动器与N沟道MOS管高边驱动技术详解 输出级周边驱动器与N沟道MOS管高边驱动的核心原理在现代电力电子系统中,输出级周边驱动器与N沟道MOS管高边驱动技术被广泛应用于电源管理、电机控制及车载电子等领域。其核心优势在于高效、低损耗和快速响应。1. N沟道MOS...
  • 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
  • PCH/L自动压力开关:工业安全与效率的保障 PCH/L自动压力开关是一种精密的设备,用于自动控制和监测系统中的压力变化。这种开关广泛应用于各种工业领域,如制造业、石油化工、电力系统等,以确保系统的安全运行和提高效率。PCH/L自动压力开关的特点在于其高度的灵...
  • 深入理解N沟道MOSFET:性能优化与常见故障排查指南 N沟道MOSFET的性能优势与优化策略相较于传统双极型晶体管,N沟道MOSFET具有高输入阻抗、低静态功耗、快速开关速度等显著优势,广泛应用于现代电子系统中。以下为性能优化的关键点:1. 栅极驱动优化使用合适的栅极驱动电压(...
  • 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
  • N沟道MOS管8V至29V低压高效解决方案:节能与紧凑设计新趋势 N沟道MOS管8V至29V:低压高效率的理想之选随着便携式设备、物联网传感器和低功耗嵌入式系统的快速发展,8V至29V范围的N沟道MOS管凭借其低电压适配性、高效率和小尺寸封装,正成为新一代电源管理方案的核心元件。1. 适配主流...