可伸缩栅极功率开关MOSFET的栅极驱动器？它有什么作用？本文将讨论与功率开关MOSFET的栅极驱动相关的损耗，这在“ PGATE”图中显示。
下图中高端和低端开关的一部分。
栅极电荷损耗在此示例中，栅极电荷损耗是由外部MOSFET的Qg（总栅极电荷）引起的损耗。
切换MOSFET时，功率IC的栅极驱动器会给MOSFET的寄生电容充电（将电荷注入栅极）并产生此损耗（请参见下图）。
这不仅是开关电源，还是使用MOSFET作为电源开关的应用中的常见讨论问题。
损耗是MOSFET的Qg乘以驱动器电压和开关频率。
请参考用于Qg的MOSFET的技术规格。
驱动电压或实际测量值，或参考IC技术规格。
从该公式可以看出，只要Qg相同，开关频率越高，损耗越大。
从提供MOSFET所需的VGS的角度来看，驱动器电压不会随电路或IC的变化而变化很大。
MOSFET的选择和开关频率取决于电路设计，因此这是一个非常重要的讨论项目。
为了确保与其他部分的一致性，此处给出了开关的波形，但未指出栅极电荷损耗。
要点：・栅极电荷损耗是由MOSFET的Qg（总栅极电荷）引起的损耗。
・如果MOSFET的Qg相同，则损耗主要取决于开关频率。
以上是对功率开关MOSFET栅极驱动的分析，希望对大家有所帮助。
