▍串联连接串联连接时，请注意静态截止电压和动态截止电压的对称分布。
在静态下，由于串联的每个元件的截止漏电流具有不同的制造偏差，因此，漏电流最小的元件承受最大电压，甚至达到保持状态。
但是，只要该部件具有足够的保持稳定性，就不必在电路中使用均压电阻器。
仅当截止电压大于1200V的组件串联时，通常才需要添加并联电阻。
假设截止漏电流不随电压而变化，并且忽略了电阻误差，对于具有给定截止电压VR的n个二极管的串联电路，我们可以得到一个简化的公式来计算电阻： Vm是串联电路中的最大电压值，△Ir是二极管泄漏电流的最大偏差，条件是工作温度最高。
我们可以做一个安全的假设：在上式中，Irm由制造商给出。
使用以上估算，电阻器中的电流约为二极管泄漏电流的六倍。
经验表明，在最大截止电压下，流经电阻的电流约为二极管泄漏电流的三倍时，电阻值就足够了。
但是即使在这种情况下，电阻器中仍然会发生相当大的损耗。
原则上，动态电压分布不同于静态电压分布。
如果一个二极管pn结的电荷载流子较小且比另一个更快，则它将更早地承受电压。
如果忽略电容偏差，则当串联n个具有给定截止电压值Vr的二极管时，我们可以使用简化方法来计算并联电容：上面的△QRR是二极管的最大偏差存储容量。
我们可以做一个完全安全的假设：条件是所有二极管都来自相同的制造批号。
△QRR由半导体制造商给出。
除了续流二极管关闭时出现的存储功率外，电容器中存储的功率还需要由导通的IGBT代替。
根据上述设计公式，我们发现总存储功率值可能达到单个二极管的存储功率的两倍。
一般来说，续流二极管的串联电流并不常见，其原因是存在以下附件的损耗源：1. pn结的n扩散电压； 2.并联电阻的损失； 3.需要由IGBT代替。
额外的存储功率。
4.由RC电路引起的组件增加。
因此，当可以使用具有高截止电压的二极管时，通常不使用串联方案。
唯一的例外是，当应用电路需要非常短的开关时间和非常低的存储功率时，这两点正是Denia二极管所具有的。
当然，此时系统的通态损耗也将大大增加。
▍并联不需要额外的RC缓冲电路。
重要的是，并联时导通电压的偏差应尽可能小。
判断二极管是否适合并联的一个重要参数是其导通电压对温度的依赖性。
如果导通电压随温度升高而降低，则它的温度系数为负。
对于损失，这是一个优势。
如果导通电压随温度升高而增加，则温度系数为正。
在典型的并行应用中，这是一个优势，因为较热的二极管将承受较低的电流，从而导致系统稳定。
因为二极管总是具有一定的制造偏差，所以当并联连接二极管时，较大的负温度系数（＞ 2mV / K）可能引起温度上升不平衡的危险。
并联二极管将产生热耦合。
1.将基板与多个并行芯片通过模块； 2.当多个模块在散热器上并行连接时，请通过散热器。
通常，由于弱的负温度系数，这种类型的热量相对较弱。
耦合足以防止具有最低导通电压的二极管进入温度不平衡状态。
但是对于具有负温度系数值＆gt;的二极管， 2mM / K，建议降额使用，即总额定电流应小于二极管的额定电流之和。
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