在黑色背景上以纯白色键入代码是否很无聊?那么,如何可视化Python脚本呢?就像这样,从输入图片,调整大小到双边过滤,每个步骤都可以清晰地看到。输入矩阵,无论是转置矩阵,共轭矩阵还是幂运算矩阵,都可以及时得到反馈。
这种名为Ryven的Python脚本可视化工具来自一个名叫LeonThomm的新生。如果您想尝试一下,不妨继续阅读。
使用方法在使用之前,只需准备开发环境:Python3(建议高于3.8),PySide2(建议高于2.14)并在项目中运行Ryven.py以打开编辑器。作者提到在Ryven中有许多不同的脚本。
每个脚本都包含变量,流(或图形)和日志。右键单击即可轻松操作。
但是,如果要使用这些节点,则需要首先导入节点软件包。单击文件,选择importNodes,然后导入* .rpc文件。
该工具的另一个功能是它包含两种不同的算法模式。数据流:每次数据更改(节点数据输出也更改)都将向前传播,并在所有连接的节点中触发更新。
如下图所示,滑动滑块将立即触发右侧节点中结果的更新。执行流:更改数据后,数据不会立即向前传播,而仅当节点请求输出数据时才会在受影响的节点中触发更新。
此外,作者还为自己列出了一个待办事项列表,例如添加语法突出显示功能,自动代码完成功能以及改善视觉体验。视觉编程有趣吗?但是,作者还指出,可视化编程的目的不是代替文本编程,并且在文本编程中实现的许多任务对于可视化而言不是必需的。
公司: 深圳市捷比信实业有限公司
电话: 0755-29796190
邮箱: momo@jepsun.com
产品经理: 李经理
QQ: 2215069954
地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

更多资讯
获取最新公司新闻和行业资料。
- 如何在8V–29V系统中优化选择N沟道与P沟道MOS管? 8V–29V系统中N沟道与P沟道MOS管选型策略指南在设计8V至29V的电源管理系统、电机控制器或智能开关电路时,正确选择N沟道或P沟道MOS管至关重要。以下从多个维度提供实用选型建议,帮助工程师实现最佳性能与成本平衡。1. 明确应...
- 如何正确选用100V P/N沟道MOS管?技术要点全解析 100V P/N沟道MOS管的选型与设计优化策略在电源管理与智能控制领域,合理选用100V耐压的P沟道与N沟道MOS管是保障系统稳定性和效率的关键环节。本文将从性能指标、电路拓扑、热管理等多个维度进行深入剖析。1. 电压与电流匹配原...
- 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
- N+P互补对MOS管的设计优化与挑战分析 设计中的关键参数考量在实际电路设计中,N+P互补对MOS管的性能不仅取决于其基本结构,还受到多种因素影响。以下为关键设计要素:1. 尺寸匹配(宽长比优化)为了实现对称的传输特性,需合理设置NMOS与PMOS的宽长比(W/L)。通...
- N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
- 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
- 如何在31V至99V系统中正确选择P沟道与N沟道MOS管?技术指南与实战建议 前言:高压系统中的关键元件选择在31V至99V的直流供电系统中,如储能系统、电动工具、医疗设备及智能电网接口装置,正确选择合适的MOS管是确保系统稳定、高效运行的核心。本文将结合实际工程案例,提供一套完整的选型流...
- 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
- 韩国凯昆KACON大象重型脚踏开关HRF-H:耐用性与可靠性的结合 韩国凯昆KACON生产的大象重型脚踏开关HRF-H是一款专为工业环境设计的耐用型设备。这款脚踏开关具有出色的耐久性和可靠性,适用于各种重型机械和设备的操作控制。HRF-H的设计考虑到了操作者的舒适度与安全性,采用高质量材...
- 为什么在零状态条件下,电容在t=0+时可视为短路? 在电路分析中,特别是在讨论暂态响应时,我们会遇到零状态条件下的电容。所谓零状态,是指初始时刻电容两端的电压为零。当考虑电路在施加输入信号的瞬间(即t=0+时),电容由于其存储电荷的能力,在这一时刻可以被视为...
- N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
- 如何优化N沟道MOS管高边驱动中的驱动能力与稳定性 N沟道MOS管高边驱动的优化策略尽管N沟道MOS管在高边驱动中具有显著优势,但其驱动设计若不恰当,容易引发开关损耗增加、电磁干扰(EMI)上升等问题。因此,优化驱动能力与系统稳定性至关重要。1. 栅极驱动电压的精确控制建...
- 31V至100V互补对N+P MOS管的应用与特性分析 在高压电力电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)扮演着至关重要的角色。特别是那些工作在31V至100V电压范围内的MOS管,它们在电源管理、电机控制、LED驱动等众多领域发挥着重要作用。互补对N+P MOS管是指在同一...
- N+P互补对MOS管30V技术解析:结构、特性与应用优势 N+P互补对MOS管30V的基本原理在现代模拟与数字集成电路设计中,N+P互补对MOS管(即NMOS与PMOS构成的互补结构)是核心构建单元之一。其中,30V耐压等级的互补对MOS管广泛应用于电源管理、电机驱动和工业控制等领域。该器件通过在...
- 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...
- N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
- N+P互补对MOS管工作电压范围从8V到29V的应用与选型指南 在电子设计领域,特别是在电源管理和电机控制等应用中,选择合适的MOSFET(金属氧化物场效应晶体管)至关重要。N+P互补对MOS管因其独特的性能,在宽电压范围内提供了出色的解决方案。本文将围绕N+P互补对MOS管的工作电压范...
- 如何选择合适的3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series配套方案? 从参数匹配到系统集成:3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series选型指南在设计高性能电机驱动系统时,正确搭配3-Phase Gate Drivers与Coilcraft P Series电感至关重要。错误的选型可能导致系统效率下降、发热严重甚至器件损坏。以下从多个维...
- 30V N沟道与P沟道MOS管选型指南:从参数到实际电路设计 如何正确选择30V N沟道与P沟道MOS管?在电源管理、智能控制和便携设备设计中,合理选用30V耐压等级的MOS管是保障系统稳定性和能效的关键。以下从选型标准、电路布局和实际案例出发,提供全面指导。1. 核心选型指标工作电压...
- P沟道与N沟道MOS管在31V至99V高压应用中的性能对比分析 引言在现代电力电子系统中,尤其是高压开关电源、工业控制、太阳能逆变器和电动汽车充电系统等领域,31V至99V范围内的MOS管选型至关重要。其中,P沟道与N沟道MOS管因其不同的工作原理和特性,在该电压区间内各有优势与适用...