联想的MOTO edge S即将推出,首款Snapdragon 870处理器

1月19日,高通技术公司宣布推出高通Snapdragon 8705G移动平台,这是Snapdragon 865Plus移动平台的升级产品,它使用增强的Qualcomm Kryo585 CPU,其最高核心频率高达3.2GHz。借助Qualcomm Snapdragon Elite游戏,面向全球市场的5GSub-6GHz和毫米波所提供的超快体验以及超直观的AI功能,新的Snapdragon 870旨在提供全面改进的性能,从而带来更好的游戏体验。
高通技术公司产品管理副总裁Kedar Kondap表示:新款Snapdragon 870是在Snapdragon 865和Snapdragon 865Plus成功的基础上构建的,并将进一步满足OEM和移动行业的需求。 Snapdragon 870将帮助领先的终端制造商,例如摩托罗拉,小米,OPPO,OnePlus和iQOO,推出各种旗舰终端。
其中,联想宣布MOTOedgeS将于1月26日发布,成为全球首款配备Snapdragon 870的手机。摩托罗拉移动总裁SergioBuniac表示:摩托罗拉致力于为消费者提供深远的技术创新。
。我们非常高兴地宣布,摩托罗拉将很快推出配备Snapdragon 8705G移动平台的智能手机,为消费者提供我们产品的独特新体验。
使用Snapdragon 8705G移动平台,我们还将增加对5G技术的投资。随着5G网络部署的全球扩展,摩托罗拉将继续努力开发其产品组合。
2020年12月,高通在夏威夷举行的Snapdragon技术峰会上正式推出了最新一代旗舰处理器Qualcomm Snapdragon 8885G移动平台。业界指出,尽管骁龙8885G移动平台赢得了众多手机制造商的青睐,但其较高的价格也限制了手机品牌首先将其搭载在其旗舰产品上。
然后,非旗舰产品需要一个具有保证性能和相对可控价格的处理平台。因此,Snapdragon 8705G移动平台应运而生。
如果这个猜测是真的,那么Snapdragon 8705G移动平台专为希望提供高性能处理器但不需要旗舰Snapdragon 888的智能手机而设计,那么其低于800美元的估计市场价格将成为大卖点。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: momo@jepsun.com

产品经理: 李经理

QQ: 2215069954

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • 欧璐O-墙壁开关:简约设计与实用功能的完美结合 欧璐O-墙壁开关是一款结合了实用性和设计感的产品,特别适合现代家居使用。这款开关设计为一开多三孔单的设计模式,意味着一个开关可以控制多个电器的电源,不仅节省了安装空间,还极大地提升了使用的便捷性。其外观简...
  • 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • G.G吊挂式2孔单排防水按钮台P02D1:可靠的选择 G.G吊挂式2孔单排防水按钮台P02D1是一款专为需要在潮湿或易受水溅环境中操作设备而设计的产品。这款按钮台采用高质量的防水材料制成,确保了即使在恶劣环境下也能正常工作。其设计简洁实用,安装方式简便快捷,通过吊挂...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • N+P互补对MOS管工作原理 N沟道和P沟道互补型金属氧化物半导体(CMOS)技术是现代集成电路中最常用的技术之一。CMOS技术利用了N沟道MOSFET(NMOS)和P沟道MOSFET(PMOS)两种晶体管的互补特性,从而实现了低静态功耗、高噪声容限和较好的逻辑电平转换能力...
  • 如何根据实际需求选择合适的电阻阵列:CN..A、SWR..A与CRW..A系列深度指南 前言:电阻阵列在现代电子设计中的重要性随着电子产品向小型化、高性能和高可靠性方向发展,传统单个电阻已难以满足复杂电路的设计需求。电阻阵列作为一种集成化解决方案,不仅节省了PCB空间,还提升了装配效率与一致...
  • 如何根据应用场景选择合适的耐脉冲电阻?PWR..A、SWR..A与CRW..A系列选型指南 基于应用场景的耐脉冲电阻选型策略面对PWR..A、SWR..A和CRW..A三大系列,正确选择不仅影响设备性能,还直接关系到系统安全与维护成本。以下从实际应用出发,提供科学选型建议。1. 高压/高能环境:优先选用PWR..A系列当设备部署...
  • 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的性能对比分析 耐脉冲电阻PWR..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心区别解析在工业自动化、电力系统及高可靠性电子设备中,耐脉冲电阻因其出色的抗冲击能力而备受青睐。其中,PWR..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三大类耐脉冲电...
  • 光颉viking陶瓷多层片式电感器(CL-S系列):高性能高频应用的理想之选 光颉viking CL-S系列陶瓷多层片式电感器核心优势解析在现代电子设备日益追求小型化、高集成度与高效能的背景下,光颉viking推出的CL-S系列陶瓷多层片式电感器凭借其卓越的电气性能和可靠的稳定性,成为高频电路设计中的首选...
  • 30V互补对N+P MOS管 在现代电子设备中,MOS管(金属氧化物半导体场效应晶体管)是不可或缺的组件之一,广泛应用于模拟和数字电路设计中。特别是对于30V互补对N+P MOS管,它在高压应用中表现尤为突出,能够提供优异的性能和稳定性。30V互补对N+...
  • 深入解析电阻阵列CN..A系列与SWR..A系列、CRW..A系列的核心差异 引言在电子元器件领域,电阻阵列因其高集成度、稳定性和空间节省优势,广泛应用于精密电路、工业控制及通信设备中。其中,CN..A系列、SWR..A系列和CRW..A系列是市场上常见的三种电阻阵列型号。尽管它们均属于电阻阵列类别,...
  • 深入理解N+P互补对MOS管:从材料到性能优化策略 互补对MOS管的核心组成与工作模式N+P互补对指的是在同一芯片上集成的NMOS与PMOS晶体管,它们共同构成互补逻辑门(如CMOS反相器)。这种结构以极低的静态功耗和优异的信号完整性著称,尤其适合高密度集成电路设计。1. NMOS与PM...
  • TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的性能对比及应用解析 TSS管与聚鼎PXXXX T/S电感的核心技术优势在现代电子设备中,TSS管(Transient Suppressor Semiconductor)与聚鼎品牌PXXXX系列电感(包括T型与S型)因其卓越的瞬态抑制能力和高可靠性,广泛应用于电源管理、通信设备和工业控制领域。以下...
  • ABB塑壳断路器(S系列.T系列): 高效可靠的配电解决方案 ABB塑壳断路器以其卓越的性能和可靠性在电气行业中享有盛誉。S系列和T系列作为ABB断路器中的佼佼者,分别针对不同的应用领域提供了高效且灵活的解决方案。S系列塑壳断路器设计紧凑、功能全面,适用于各种工业及商业环境...
  • 费斯托SMT-8-NS-S-LED-24-B:精准可靠的位置控制解决方案 费斯托的SMT-8-NS-S-LED-24-B是一款高性能行程开关,它在自动化领域中扮演着重要角色。这款行程开关具有8毫米的检测距离,适用于需要精确位置控制的应用场景。其内置的LED指示灯可以直观地显示开关状态,便于用户监控和维护。...
  • 如何选择合适的聚鼎PXXXX T/S电感与TSS管搭配方案 基于应用场景的TSS管与聚鼎电感选型策略在实际工程设计中,合理匹配TSS管与聚鼎PXXXX系列电感是保障系统可靠性的关键。以下是根据不同应用场景的推荐搭配方案。1. 高频开关电源系统推荐配置:选用聚鼎PXXXX-T型电感 + 高速响...
  • 100V N沟道MOS管详解:高效低功耗设计的理想之选 100V N沟道MOS管的技术特点与优势相较于400V型号,100V N沟道MOS管更适用于中低压电子系统,广泛应用于消费类电子产品、LED驱动、电池管理系统(BMS)和小型电机控制等领域。其核心参数如下:• 额定漏源电压(VDS):100V• 栅极...
  • 聚鼎PXXXX T与S电感对比:性能差异与工程选型策略 聚鼎PXXXX T vs S电感:全面性能对比与工程实践指南面对日益复杂的电子系统设计需求,如何在“聚鼎PXXXX T”与“聚鼎PXXXX S”两款电感之间做出最优选择?本文从结构、性能、适用场景三个维度展开深度对比,并提供实用的工程选...