在Linux和Windows上进行客户端测试

尽管大多数用户对使用USB电缆在Android手机和PC之间传输数据感到满意,但仍有一些人希望在不使用USB电缆的情况下传输数据进行传输。短线圈越少越好。
对于PC-android的大多数无线用户而言,唯一的问题是有一个复杂的参数需要网络知识。 XDA论坛成员joschi70希望通过发布一个应用程序在PC和Android之间无线传输文件而无需任何网络修补的情况下解决这些问题。
根据开发人员的说法:它使用多播在同一WiFi网络中查找其他客户端。因此,不需要安装程序。
除Android应用程序外,还有一个基于Java的PC客户端可用。该客户端已经在Linux和Windows上进行了测试,但是可以在其他配置上使用。
由于使用了多播,因此实际上应将其取消配置。基本上,只需安装Android和PC客户端,然后就可以离开。
对于那些想尝试的人,您可以找到指向Android电子市场的链接,并与相关人员进行讨论,并按照原始路线描述该应用程序。

公司: 深圳市捷比信实业有限公司

电话: 0755-29796190

邮箱: tao@jepsun.com

产品经理: 陆经理

QQ: 2065372476

地址: 深圳市宝安区翻身路富源大厦1栋7楼

微信二维码

更多资讯

获取最新公司新闻和行业资料。

  • double sum = 0.0; for(int i = 0; i < n; i++) { if(resistors[i] > 0) { sum += 1.0 / resistors[i]; 在C语言中计算并联电阻的总电阻是一个常见的应用问题,它涉及到基本的物理知识与编程技巧的结合。并联电路中的总电阻可以通过所有并联电阻倒数的和的倒数来计算。首先,我们需要定义一个函数来处理这一计算过程。例如...
  • N+P互补对MOS管31V至100V:高耐压N沟道器件性能解析 N+P互补对MOS管在高压应用中的核心优势在现代电力电子系统中,N+P互补对MOS管因其优异的开关特性与高耐压能力,广泛应用于电源管理、电机驱动及工业控制等领域。其中,工作电压范围覆盖31V至100V的N沟道MOS管,尤其适用于需要...
  • 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET性能对比及应用解析 0-40V N MOSFET与40-300V N MOSFET核心参数对比在现代电源管理与功率电子系统中,N沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管(N MOSFET)扮演着关键角色。根据工作电压范围的不同,可将N MOSFET分为两大类:0-40V低电压型与40-300V高电压型。这...
  • 现货SMC压力开关ISE30A-01-N-L: 高性能与可靠性的结合 现货供应的SMC压力开关ISE30A-01-N-L是一种高性能的自动化控制元件,广泛应用于各种工业领域。这款压力开关具备精确的压力检测功能,能够在系统压力达到预设值时迅速做出反应,从而实现对机械设备的有效控制。ISE30A-01-N-L型号...
  • 40-300V N MOS与0-40V N MOS参数对比:应用场景与选型指南 40-300V N MOS与0-40V N MOS核心参数对比在电源管理、电机驱动及开关电源设计中,N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(N MOSFET)是关键元件。根据耐压范围的不同,可将N MOS分为高耐压型(40-300V)与低压型(0-40V)。以下从多个维度...
  • 费斯托Festo PEV-W-KL-压力开关:工业自动化领域的高效解决方案 费斯托Festo的压力开关PEV-W-KL-是一款高性能的设备,被广泛应用于工业自动化领域。这款压力开关设计紧凑,具有高度的可靠性和精确度,能够在各种恶劣环境下稳定工作。PEV-W-KL-型号的压力开关适用于监测气体或液体的压力,并...
  • TAI薄膜精密电阻技术深度解析:与TA-I、TAITIEN的性能差距在哪里? TAI薄膜精密电阻技术深度剖析:超越TA-I与TAITIEN的关键因素随着电子系统向小型化、高集成度与高可靠性发展,薄膜精密电阻的性能成为决定系统成败的关键之一。大毅科技(TAI)作为全球领先的精密电阻制造商,其推出的TAI系列...
  • 新投运电容器组应进行合闸冲击试验 在交流电路中,如果电容器充电后再次闭合,电容器可能承受两倍以上的额定电压(峰值),对电容器有害。 同时也会产生较大的冲击电流,导致熔断或断路器跳闸。&nbsp;因此,电容器组必须在每次开启后放电,待电荷消失后...
  • N沟道MOS管在8V–29V系统中的选型与设计要点解析 前言:为何选择N沟道MOS管?N沟道MOS管因具有更低的导通电阻(Rds(on))和更高的电子迁移率,在8V–29V系统中表现出更优的性能。尤其在作为主开关器件时,其效率和热性能远超传统P沟道器件。一、关键参数选型指南额定电压(...
  • 新投运电容器组应进行几次合闸冲击试验 在交流电路中,如果电容器再次充电并闭合,电容器可能承受两倍以上的额定电压(峰值),这对电容器有害。同时还会产生较大的冲击电流,导致熔体熔断或断路器跳闸。因此,电容器组必须在每次打开后放电,然后在电荷消失后...
  • 如何在8V~29V系统中正确设计P/N沟道MOS管驱动电路 引言:驱动电路的重要性在8V至29V的电力电子系统中,正确设计MOS管的栅极驱动电路是确保器件稳定、高效运行的关键环节。无论是P沟道还是N沟道器件,若驱动不当,可能导致导通不完全、开关速度慢甚至击穿损坏。核心设计原...
  • 深入解析40-300V N MOSFET在高功率系统中的关键技术优势 40-300V N MOSFET的核心技术演进随着新能源、智能电网与电动汽车产业的快速发展,对高电压、高可靠性的功率器件需求日益增长。40-300V N MOSFET作为高压功率转换的关键元件,近年来在材料、结构和封装技术上取得了重大突破。1. S...
  • N沟道30V MOS管在电源管理中的应用与优势解析 N沟道30V MOS管的核心特性与应用场景在现代电子系统中,尤其是便携式设备、智能电源管理模块和工业控制领域,N沟道30V MOS管因其出色的电压耐受能力与低导通电阻特性而备受青睐。其额定电压高达30V,能够有效应对多种电源波...
  • 100V N沟道MOS管在电源管理中的应用与优势分析 100V N沟道MOS管在电源管理中的核心作用随着电子设备向小型化、高效化发展,对功率器件的性能要求日益提高。100V N沟道MOS管因其高耐压、低导通电阻和快速开关特性,成为现代电源管理系统中的关键元件。主要技术优势高耐压...
  • 深入解析N+P互补对MOS管在数字电路中的应用与优势 N+P互补对MOS管的基本原理在现代集成电路设计中,互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是主流架构之一。其中,N+P互补对MOS管由一个NMOS(N型沟道MOSFET)和一个PMOS(P型沟道MOSFET)构成,二者协同工作以实现逻辑门功能。1. 工作机制...
  • S.J.X自动压力开关隔膜泵:高效稳定的流体传输解决方案 S.J.X自动压力开关隔膜泵是一种高效、耐用的流体传输设备,广泛应用于化工、制药、食品加工等行业。该泵采用先进的自动压力开关技术,能够根据系统的压力变化自动调节运行状态,有效防止过压或欠压情况的发生,从而保护...
  • 台湾TA-I大毅合金电阻RLP25FEER050 2512 2W 50mΩ电流检测合金电阻 商品属性加工定制否品牌TA-I型号RLP25FEER050种类大功率合金电阻性能高功率 高精度 耐高温材料合金制作工艺合金贴片工艺外形平面片状允许偏差±1%温度系数100PPM/℃额定功率2(W)功率特性大功率频率特性中频产品性质合金电阻 检...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与优势分析 引言在现代电子系统中,尤其是工业控制、汽车电子和高电压电源管理领域,8V至29V的宽电压范围供电需求日益增长。N+P互补对MOS管(即N沟道与P沟道MOSFET组成的互补结构)因其优异的开关性能和高可靠性,成为该电压区间内核心...
  • N+P互补对MOS管在8V至29V电源系统中的应用与设计优化 N+P互补对MOS管概述在现代电子系统中,尤其是电源管理、电机驱动和开关电源(SMPS)领域,N+P互补对MOS管因其优异的导通特性与低功耗表现而备受青睐。这种结构由一个NMOS管(N型)与一个PMOS管(P型)组成,形成互补工作模式,...
  • 现货SMC磁性开关D-90、D-A93 D-A73:高效可靠的自动化控制选择 现货供应的SMC磁性开关D-90、D-A93和D-A73型号是工业自动化领域中不可或缺的传感设备。这些开关主要用于检测气缸活塞的位置,通过内置的磁感应元件来实现非接触式的信号传输。它们在设计上具备小巧紧凑的特点,能够轻松安装...