从100V到100V+：N沟道MOS管的技术演进
随着电力电子技术的进步，传统的100V N沟道MOS管已逐步向“100V+”升级，即具备更高耐压能力（如120V、150V）的新型器件，以应对更复杂的应用需求。
性能提升的关键技术
- 超薄氧化层工艺：通过优化栅极氧化层厚度，提升栅极控制精度，降低漏电流。
- 沟槽栅（Trench Gate）结构：相比平面结构，沟槽栅能大幅减小导通电阻，提升电流密度。
- 碳化硅（SiC）材料应用：部分高端100V+器件开始采用碳化硅衬底，实现更低的开关损耗和更高的工作温度。
- 多芯片并联封装技术：通过多个晶片并联，增强整体承载能力，适用于大功率场合。
未来发展趋势
1. 智能化集成：将驱动电路、保护功能（过流、过温）集成于MOS管内部，形成智能功率模块。
2. 更高可靠性：面向航空航天、医疗设备等高安全领域，提升器件的抗干扰与长寿命能力。
3. 绿色制造：推动无铅封装、环保材料使用，符合国际环保标准（如RoHS）。
市场前景展望
据市场研究机构预测，2025年前全球100V+ N沟道MOS管市场规模将突破百亿美元，尤其在新能源汽车、储能系统和5G基站等领域需求旺盛。企业应加快技术研发，抢占高端市场先机。
