深度剖析0.5A低Rds(on) MOS管与DIODESTAR二极管在节能电源中的技术融合

背景:能效标准推动器件革新

随着全球对节能减排的日益重视,各国相继出台更严格的电源能效规范,如欧盟ErP指令、美国DOE Level VI标准。在此背景下,传统二极管整流方式因导通损耗大而逐渐被同步整流技术取代。以DIODESTAR PFC二极管搭配0.5A低Rds(on) MOS管的方案,正成为新一代高效电源设计的标配。

1. 技术对比:传统二极管 vs 同步整流方案

传统方案使用快恢复二极管进行整流,其正向压降通常为0.7~1.2V,导致显著的导通损耗。相比之下,同步整流采用低阻抗MOS管替代二极管,当导通时仅需克服其导通电阻(Rds(on))带来的压降。

举例说明:

  • 若负载电流为1A,传统二极管损耗 ≈ 1.0V × 1A = 1W;
  • 采用0.5A低Rds(on) MOS管(假设Rds(on)=10mΩ),则损耗 ≈ 0.01Ω × (1A)² = 0.01W;
  • 效率提升超过90%,显著降低发热与风扇需求。

2. DIODESTAR二极管在辅助电路中的独特价值

尽管主回路采用同步整流,但DIODESTAR系列仍可在以下场景发挥关键作用:

  • 作为启动电路中的箝位二极管,防止电压尖峰;
  • 用于检测信号路径中的隔离与保护;
  • 在软启动阶段提供可控的电流上升斜率,避免浪涌电流。

其高可靠性和长寿命特性保障了系统的长期稳定运行。

3. 设计建议与注意事项

在实际应用中,需重点关注以下几点:

  1. 栅极驱动电压:确保MOS管完全导通,避免部分导通状态引发局部过热;
  2. 布局布线:缩短源极与漏极走线,减小寄生电感,防止振荡;
  3. 热管理:即使低损耗,也应配备良好散热片或铜箔铺层;
  4. EMI滤波:在高速切换节点处添加铁氧体磁珠与RC吸收电路。

通过系统化设计,可实现“零噪声”高效电源系统。

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