三极管稳压器电路仿真分析设计方案，值得您收藏

1.稳压电路的原理自行设计稳压电路的仿真设计时，很多学者都有自己的习惯。 R3和Z1形成一个简单的稳定电路。
当VIN的电压高于Z1的稳压时，当其值为Vz时，Z1的负极调节为Vz； Z1的负极连接到三极管的基极，三极管E的发射极作为输出，形成发射极跟随器，即E极的电压跟随B的电压变化而变化，有一个假设B极为6.7V，E极为6.7-0.7 = 6V，则BE之间的电压降（对于硅管通常约为0.7V）。总之，VOUT = Vz-Vbe，可以基于VOUT。
选择正确的稳压管。 2.仿真分析以下是使用Tina-TI进行的仿真实验。
Z1是一个5.1V的稳压管，限流电阻R1是1.25K，输入V1 = 30V，仿真结果VF1 = 4.36V，我们发现可以使用此电路。然后有人会说，在晶体管导通之后，30V将直接从CE转到VF1。
为什么输出仍为4.36V？晶体管导通后，点E的电压将增加。当其上升到Vbe ＜0.7V时，晶体管将截止，IC电流急剧下降，E点的电压急剧下降。
当E处的电压降至Vbe = 0.7V时，晶体管再次导通，E处的电压升高。当Vbe ＜0.7V时，晶体管再次截止。
在这个周期中，E点的电压将始终稳定在4.36V。 3.如下确定R1的电阻值是齐纳二极管的特性曲线。
结合图形，可以更好地理解参数。齐纳管的击穿区域为Izt〜Izm。
在此范围内，齐纳管具有最佳的电压调节效果。好的。
从齐纳管的SPEC可以看出，当Izt = 20mA时，参数Vz @ Izt指的是齐纳管的电压调节值Vz = 5.1V，这意味着流过齐纳管的电流大于20mA。 ，稳压效果最佳。
再看上面的仿真图，忽略流入晶体管基极的电流，可以计算出R1≤（30-5.1）/20mA=1.245K，但是R1的下限是多少？ R1的下限取决于Izm，稳压管有一个耗散功率Pd的参数。稳压管在正常工作状态下不能超过该值。
由于稳压器的值在5.1V时保持不变，因此流过稳压器管的最大电流为Izm = 500 / 5.1 = 98mA，因此R1的最小值为：（30V-5.1V）/98mA=0.25K再次模拟，将R1改为2K，施加到稳压管的电流减小，VF2变为5V，VF1变为4.26V，稳压效果不是R1 = 1.25K很好，验证了上述理论。 4.根据R1 = 1.25K和齐纳管击穿电流Izt = 20mA计算电阻器R1的功率。
加到R1的功率为P = 0.02 * 0.02 * 1250 = 0.5W，因此R1的功率需要大于0.5W。否则，电阻可能会损坏。