FBAR具有体积小，工作频率高，效率高，插入损耗低，带外抑制大，Q值高，功率容量大，温度系数低，抗静电冲击能力强，半导体工艺兼容等优点。
FBAR技术可用于制造各种高性能频率器件，如滤波器，振荡器和双工器。
与目前传统的介质滤波器和SAW相关技术相比，FBAR技术可以提供更完整的功率处理能力，插入损耗和选择性特性。
FBAR的工作区域由金属底电极 - 压电薄膜 - 金属上电极组成。
该装置以陷阱厚度振动模式操作，并且操作频率与压电材料的厚度成反比。
当电信号施加到FBAR时，装置中的压电薄膜通过逆压电效应将电信号转换成声信号，并且装置的声学结构表现出对不同频率的声信号的选择性，其中声波在设备内满意。
全反射条件的声信号将在装置内共振，并且不满足共振条件的声信号将衰减，并且频率与共振声信号频率不同的声信号将更快地衰减。
最后，通过压电薄膜以成比例的方式将装置中具有幅度相位差的声信号转换成输出电信号，使得FBAR最终对电信号表现出频率选择作用。
FBAR的工作方式与晶体谐振器中的陶瓷谐振器和以千赫兹到兆赫兹的晶体工作的陶瓷滤波器相同。
不同之处在于，一方面，FBAR的压电膜厚度在微米级，因此其工作频率可以增加到千兆赫级。
另一方面，由于压电膜太薄，FBAR不可能像晶体谐振器那样通过压电晶片支撑上下电极。
因此，FBAR必须具有基板，并且在处理期间首先蒸发或溅射金属底部电极。
然后在基板上，在电极上沉积压电膜，最后在压电膜上形成金属上电极。
FBAR的主要应用领域包括PCS，用于CDMA和W-CDMA的RF滤波器，FBAR振荡器等，它们已广泛用于移动电话滤波器，双工器，RF前端和PGS接收前端模块。
除了当今无线移动产品不断增加的尺寸和节能要求之外，频率资源也变得越来越拥挤。
高性能FBAR滤波器也得到了更广泛的应用。
