[2020年7月14日，德国慕尼黑] Infineon Technologies AG在其1200 V CoolSiC™MOSFET模块系列中增加了62mm工业标准模块封装。它采用成熟的62mm器件半桥拓扑设计和沟槽门芯片技术，为250kW以上的碳化硅的中等功率应用打开了大门（硅IGBT技术已达到62mm封装的功率密度极限）。基于传统的62mm IGBT模块，碳化硅的应用范围已扩展到太阳能，服务器，储能，电动汽车充电桩，牵引以及商用电磁炉和功率转换系统。该62mm模块配备了Infineon的CoolSiC MOSFET芯片，可以实现极高的电流密度。其极低的开关损耗和传导损耗可以最大程度地减小冷却装置的尺寸。在高开关频率下工作时，可以使用较小的磁性元件。借助英飞凌的CoolSiC芯片技术，客户可以设计更小的逆变器，从而降低整体系统成本。它使用62毫米标准基板和螺纹接口，并具有高度耐用的结构设计，可最大程度地提高和提高系统可用性，同时降低维护成本并减少停机时间损失。出色的温度循环能力和150°C的连续工作温度（Tvjop）带来了出色的系统可靠性。其对称的内部设计使上下开关具有相同的开关条件。任选的“预处理热界面材料”为可替代的。 （TIM）配置可用于进一步改善模块的热性能。可用性62 mm封装的1200 V CoolSiC™MOSFET提供6mΩ/ 250 A，3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A型号。它还具有设计用于快速特性评估（双脉冲/连续操作）的评估板供您选择。为了易于使用，它还提供了栅极电压和栅极电阻的灵活调整。同时，它也可以用作批量生产驱动器板的参考设计。